В СИН рассказали подробности госпитализации осужденного на 10 лет активиста Алга Кылычева, сообщает Азаттык.
По информации Службы исполнения наказаний, 23 августа активист добровольно отказался проходить лечение в лечебно-исправительном учреждении №31. А 2 сентября ему вызвали бригаду скорой помощи из-за повышенного давления, но медики не нашли оснований для госпитализации.
4 и 6 сентября начальник медслужбы СИЗО-1 направил рекомендации на обследование Кылычева в Национальный госпиталь о необходимости стационарного лечения.
«9 сентября Национальный госпиталь одобрил направление осужденного на стационарное лечение. В тот же день Алга Кылычев был доставлен в больницу машиной скорой помощи. На данный момент осужденный проходит комплексное медицинское лечение», — сообщили в СИН.
О госпитализации активиста ранее «Азаттыку» также сообщила правозащитница Азиза Абдирасулова и адвокат Жанат Гулжигитов.
По словам Абдирасуловой, состояние здоровья Кылычева, у которого проблемы с печенью и который находился на лечении, ухудшилось в тюрьме, где он отбывает наказание. Она также сообщала, что активист находится в реанимации. В свою очередь в СИН опровергли, что Кылычев находится в отделении реанимации.
Активиста Алгу Кылычева Аламудунский районный суд Чуйской области приговорил к 10 годам лишения свободы в июне 2024 года. В комментарии «Азаттыку» активист тогда заявил, что считает приговор политическим преследованием за события пятилетней давности. Кылычева признали виновным в соучастии во взятии в заложники двух и более лиц по предварительному сговору (статьи 43 и 244 УК КР в редакции от 2017 года).
После вынесения приговора он заявил, что если его жизни в тюрьме будет угрожать опасность, он возлагает ответственность на власти страны.
Кылычева арестовали в связи с событиями в селе Кой-Таше, произошедшими в 2019 году во время штурма дома бывшего президента Алмазбека Атамбаева. Он известен как сторонник Атамбаева. В СИЗО Кылычев провел почти полгода.
Ранее в интервью «Азаттыку» он рассказал о пытках, которым подвергся в следственном изоляторе.
